【项目简介】3.3V 双向瞬态电压抑制二极管

2018-08-17 17:20:56|来源:中央广电总台国际在线|编辑:李妍|责编:赵滢溪

  本项目符合国家产业政策,也是国家重点支持和发展的产业,对于促进企业技术进步和产业升级,对于加速我国微电子产业新技术、新工艺、新产品的开发研究以及带动地方区域经济发展都具有重要的现实意义。

  项目的核心技术和创新点包括:

       1 N型衬底P型外延制作NPN型单面双向TVS二极管技术;

  2掺砷工艺调高ESD;

  3 在正面金属材料上选用Ti-W、AL金属结构;

  4  焊接金属结构采用Ti、Ni、SnAg、Au金属结构;

  未来国内外瞬态拟制二极管发展,将向小型化、低压、低功耗,高频率方向发展,这就要求相应的保护器件必需做到:小型封装,工作电压低,电容小。

  随着科技发展,瞬态拟制二极管产品将不断创新出现,将在电子电子元器件领域与高端应用领域开发新的产品,国际国内的许多研究机构以及实力雄厚的合资公司在瞬态拟制二极管产品方面的技术储备和研发已经处于新阶段,未来继续展开激烈的竞争。谁掌握新技术,谁将在未来的市场占有优势。(来源: 陕西省科学技术协会)

 

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